深圳EUV超紫外光曝光原型機的出現，並非「靈光一閃」，而是典型的「被需求逼出來的混合型方案」。在這條極其艱難的技術路線上，北京選擇了最熟悉、也最激進的路徑——舉國體制。華為被推到台前，擔任「中央系統整合商」，將上海光學精密機械研究所（SIOM）等國家級科研機構，與一眾民營企業強行擰成一股繩。
但必須承認，即便取得階段性突破，中國距離真正的晶元量產與商業化，仍有一道深不見底的鴻溝。
現實是，目前中芯國際仍主要依賴較為落後的DUV曝光機，通過複雜、繁瑣的多重曝光工藝來勉強生產7納米晶元。代價是什麼？成本失控、效率低下。有報道稱，中芯國際的晶圓製造成本比台積電高出40%—50%，而7納米良率甚至低於50%。
在典型的自由市場環境中，這樣的企業幾乎註定被淘汰；但在中國，這些成本被政府「兜底」，目的只有一個——確保像華為這樣的戰略級企業活下來，並繼續向前推進。
在技術路線上，中國與ASML的分歧同樣耐人尋味。
ASML採用的是二氧化碳雷射產生極紫外光，而中國研究團隊選擇重新拾起一條曾被ASML放棄的固態雷射路線。當年，這一方案因效率不足，被認為無法支撐大規模量產。但如今，中國團隊報告稱，其能量轉換效率已達到3.42%，正在逼近實際應用的門檻。
與此同時，華為還準備了「Plan B」。
一種名為雷射誘導放電等離子體（LDP）的光源方案正在同步推進。它不依賴複雜雷射系統，而是通過高壓放電產生等離子體，結構更簡單、可控性更強。儘管功率偏低，但作為備用方案，它足以在關鍵時刻「保底」——即便無法繞開被禁用的蔡司光學鏡片，LDP仍可用於生產滿足軍用與特定需求的晶元，哪怕產量有限。
為了補齊系統整合這一「最難、也最隱蔽」的短板，該計劃還在全球範圍內高強度挖人。據路透社披露，中國團隊從ASML等企業招募頂尖工程師，甚至開出高達70萬美元的簽約獎金。這類「人力情報收集」，為國產EUV補上了大量無法從論文中獲得的工程經驗。
中國EUV曝光機真正的終極目標，並不僅是「能做出來」，而是幹掉昂貴的多重曝光工藝，讓晶元製造回到可持續的商業邏輯，而非長期依賴國家輸血。
在那之前——預計至少要到2029年前後——中國晶元產業仍將處在一個現實而殘酷的階段：用巨額財政投入，去對沖技術封鎖與經濟規律之間的矛盾。
這不是捷徑，而是一場押上耐力、資源與時間的硬仗。
（陸媒報導截圖）